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반도체 웨이퍼 10장 한 번에 제조…재료연, 350도 저온 2차원 반도체 공정 개발
인공지능신문
한국재료연구원(KIMS) 연구진이 350℃의 저온에서 4인치 반도체 웨이퍼 10장에 차세대 2차원 반도체 소재를 동시에 형성하고, 별도의 전사 공정 없이 트랜지스터까지 직접 제작하는 기술을 개발했다.
원문의 저작권은 인공지능신문에 있습니다. 위 발췌는 원문 확인을 돕기 위한 짧은 인용입니다.
한국재료연구원(KIMS) 연구진이 350℃의 저온에서 4인치 반도체 웨이퍼 10장에 차세대 2차원 반도체 소재를 동시에 형성하고, 별도의 전사 공정 없이 트랜지스터까지 직접 제작하는 기술을 개발했다.
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